パワーGaN半導体の結晶成長技術、デバイス・プロセス技術の開発
年収 500万円～1000万円
※あくまでも目安であり、正式には社内規定やご経験、前職給与額などに沿って決定いたします。
富山県魚津市
パワーGaNトランジスタ用のエピタキシャルウェハやトランジスプロセスの開発と量産化に向けた結晶成長技術開発、ウエハプロセス開発、工程設計、量産技術開発、評価・解析等をご担当いただきます。
おすすめポイント
■半導体専業メーカーとして独自のコア技術を組み合わせ、社会や産業の様々なニーズに応えるソリューションを提供しています。
■外資企業とはいえ、大手日系企業が前身であるため社風を受け継いでおり外資と日本企業の良さを兼ね備えた企業です。
■年間休日127日、年次有給休暇25日（初年度は入社日時点で入社月に応じて3～22日を付与、翌年度以降25日付与）、コアレスフレックス制度など充実の福利厚生と労働環境が揃っています。
■年収500～1000万円(前職給与を考慮)と給与水準も高いため、待遇面で満足いただける環境です。
応募資格
【必須要件】
■半導体のデバイス・プロセス開発業務経験 （3年目安）
■材料物性、半導体プロセス技術の知識
■TOEIC400点以上
【歓迎要件】
■半導体プロセス設備、エピタキシャル成長装置を扱った経験
■化合物半導体材料、物性の知識
■化合物半導体の経験はないが、半導体プロセス開発、インテグレーション開発の経験がある
■プロセスエンジニアとしての経験がある
■トランジスタの物性の知識、評価の経験がある
■電源系の回路、製品の構成や使用されるトランジスタについての知識がある
雇用形態
正社員
給与
年収 500万円～1000万円
※あくまでも目安であり、正式には社内規定やご経験、前職給与額などに沿って決定いたします。
勤務地
富山県魚津市
待遇・福利厚生
【勤務時間】
フレックスタイム制（コアタイム：無）
所定労働時間 7時間45分 休憩45分 ※標準就業時間 8:30～17:00
【時間外労働】
有
【休日休暇】
年間休日日数127日
完全週休2日制（休日は土日祝日）、年次有給休暇25日（初年度は入社日時点で入社月に応じて3～22日を付与、翌年度以降25日付与）、年末年始休暇、夏季休暇、年次有給休暇、慶弔休暇、長期節目休暇 など
【福利厚生】
通勤手当、家族手当、住宅手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度（※企業型確定拠出年金制）、カフェテリアプラン（福利厚生ポイント年12万円分）
■制度：持株制度、財形貯蓄制度、企業年金制度 等
■施設：保養施設、医療施設 等
【受動喫煙防止措置】
屋内原則禁煙（喫煙室あり）
社名
（非公開）
業種
電気・電子・半導体・精密機器
職種
研究・開発, プロセスエンジニア
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