SiGe・SiPhoデバイス開発エンジニア
600万円～850万円
※目安の年収であり、選考を通じて上下する可能性がございます。
富山県魚津市
RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）並びにSi Photonicsのデバイス開発、もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーションを行っていただきます。
おすすめポイント
■旧大手電機メーカーの半導体開発、製造部門です。現在はイスラエルと台湾の合弁会社となり、イスラエルのファウンドリ企業の一員として事業活動を展開しています。
■現在は大手電機メーカーの資本が入っておりませんが、当時の福利厚生も残っており、働きやすい環境が整っています。
■富山・新潟へのUIターン大歓迎！住宅手当や単身赴任手当が充実しております。
応募資格
【必須条件】
■半導体デバイス・プロセスの開発経験、知識
■光学デバイス・プロセスの開発経験、知識
■半導体デバイスもしくは光学デバイスの特性評価経験
■チームワークを重視し、周囲と協調して働ける方
■英語でのコミュニケーション能力
【歓迎要件】
■半導体製造の知識、経験
■光学デバイス製造の知識、経験
雇用形態
正社員
給与
600万円～850万円
※目安の年収であり、選考を通じて上下する可能性がございます。
勤務地
富山県魚津市
待遇・福利厚生
【勤務時間】
8:30～17:15
休憩時間：45分
【時間外労働】
有
【休日休暇】
年間休日127日、完全週休二日(土日)
祝日 夏季休暇 年末年始休暇 慶弔 有給休暇（年間20日付与※入社月より付与日数変動あり）
【福利厚生】
社会保険完備（健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険）、退職金制度あり、単身赴任者帰省旅費、寮・社宅・住居費補助制度あり、社員食堂・売店あり、入社前検診費用会社負担、各種有給制度多数
【受動喫煙防止措置】
屋内禁煙
社名
（非公開）
業種
電気・電子・半導体・精密機器
職種
研究・開発, 半導体設計, プロセスエンジニア, 生産技術
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